Neuentwicklung: Effiziente und kompakte Spannungswandler mit hoher Leistungsdichte für die Elektromobilität E-Mobilität Forschungs-Mitteilungen 3. Mai 2017 Werbung Weltweit erste monolithisch integrierte GaN-Halbbrücke für Netzspannungen (WK-intern) - Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF hat die weltweit erste Halbbrückenschaltung der wichtigen 600-Volt-Klasse entwickelt, bei der alle elektronischen Komponenten „monolithisch“ auf einem Chip eingebettet sind. Monolithisch integrierte Halbbrücken sind Schlüsselbausteine für kompakte Spannungswandler und ermöglichen einen großen Effizienzgewinn in der Leistungselektronik. Basis hierfür ist der Einsatz des Halbleitermaterials Galliumnitrid (GaN). Das Fraunhofer IAF präsentiert die Halbbrückenschaltung vom 16. bis 18. Mai 2017 auf der PCIM Europe in Nürnberg (Halle 7, Stand 237). Spannungswandler sind gefragt. Ob als Netz- und Ladegeräte für das Smartphone, den Laptop und Haushaltsgeräte bei niedrigen Spannungen: Sie sind überall zu finden
